FLASH ROM则属于真正的单电压芯片，在使用上很类似EPROM，因此，有些书籍上便把FLASH ROM作为EPROM的一种。事实上，二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时，也要执行专用的刷新程序，但是在删除资料时，并非以Byte为基本单位，而是以Sector(又称Block)为最小单位，Sector的大小随厂商的不同而有所不同;只有在写入时，才以Byte为最小单位写入;FLASH ROM芯片的读和写操作都是在单电压下进行，不需跳线，只利用专用程序即可方便地修改其内容;FLASH ROM的存储容量普遍大于EPROM，约为512K到至8M KBit，由于大批量生产，价格也比较合适，很适合用来存放程序码，近年来已逐渐取代了EPROM，广泛用于主板的BIOS ROM，也是CIH攻击的主要目标。

　　Q：怎么确定我的主板BIOS是可擦写的BIOS ?

　　A：很简单，把机箱打开，揭开BIOS 芯片上(一般是28 或 32脚的双列直插式集成电路，上面是贴的是印有BIOS生产商的封条)的标签，可以看到芯片的型号。对照下面，你就可以确定系统里是否包含可擦写的BIOS。

　　Am29F010：AMD 5 伏的 FLASH ROM

　　Am28F010、Am28F010A： AMD 12 伏的 FLASH ROM

　　AT28C010、AT28MC010、AT29C010、AT29LC010、AT29MC010：Atmel 5 伏的 FLASH ROM

　　CAT28F010V5、CAT28F010V5I：Catalyst 5 伏的 FLASH ROM

　　CAT28F010、CAT28F010I：Catalyst 12 伏的 FLASH ROM

　　28F010：Fujitsu(富士通)12 伏的 FLASH ROM 或 ISSI 12 伏的 FLASH ROM

　　HN58C1000：Hitachi(东芝) 5 伏的 FLASH ROM

　　HN28F101、HN29C010、HN29C010B、HN58C1001、HN58V1001：Hitachi (东芝)12 伏的 FLASH ROM

　　A28F010、28F001BX-B、28F001BX-T、28F010：Intel 12 伏的 FLASH ROM

　　M5M28F101FP、M5M28F101P、M5M28F101RV、M5M28F101VP：Mitsubishi 12 伏的 FLASH ROM

　　MX28F1000：MXIC 12 伏的 FLASH ROM

　　MSM28F101：OKI 12 伏的 FLASH ROM

　　KM29C010：Samsung 5 伏的 FLASH ROM

　　DQ28C010、DYM28C010、DQM28C010A：SEEQ 5 伏的 FLASH ROM

　　DQ47F010、DQ48F010：SEEQ 12 伏的 FLASH ROM

　　M28F010、M28F1001：SGS-Thomson 12 伏的 FLASH ROM

　　28EE011、29EE010：SST 5 伏的 FLASH ROM

　　PH29EE010：SST 5 伏的 FLASH ROM

　　TMS29F010：Texas-Instr 5 伏的 FLASH ROM

　　TMS28F010：Texas-Instr 12 伏的 FLASH ROM

　　W29EE011：Winbond 5 伏的 FLASH ROM

　　W27F010：Winbond 12 伏的 FLASH ROM

　　X28C010、X28C010I、XM28C010、XM28C010I：XICOR 5 伏的 FLASH ROM

　　29LVxxx - 3V FLASH ROM (较少见)

　　28Cxxx